Ansys RaptorX/RaptorH 2025R2 شبیه‌سازی IC و SoC

 Ansys RaptorH و Ansys RaptorX از قدرتمندترین ابزارهای شبیه سازی الکترومغناطیسی برای طراحی و تحلیل IC و سیستم‌های روی تراشه (SoC) هستند. این نرم افزارها با استفاده از الگوریتم‌های پیشرفته استخراج میدان سه‌بعدی، امکان مدل‌سازی دقیق پارازیت‌ها، القاگرها، خازن‌ها و اثرات تداخل متقابل (Coupling) را در طراحی‌های با فناوری‌های نانومتری فراهم می‌کنند.

Ansys RaptorH به‌طور خاص برای طراحی‌های فرکانس بالا با چگالی متوسط توسعه یافته و در سطح layout تراشه برای استخراج پارازیت‌های RLC و کوپلینگ‌های بین‌لایه‌ای عملکردی فوق‌العاده دارد. این نرم افزار توانایی ادغام مستقیم با ابزارهای طراحی Cadence Virtuoso و Synopsys Custom Compiler را دارد و به‌صورت کامل از فرآیندهای Foundry معتبر پشتیبانی می‌کند. مدل‌های تولیدشده توسط RaptorH معمولاً در مدارهای RF و آنالوگ مانند تقویت‌کننده‌ها، فیلترها و مبدل‌های داده استفاده می‌شوند و دقت آن‌ها در سطح سیلیکون تأیید شده است.

در مقابل، Ansys RaptorX برای نسل‌های جدید فناوری با گره‌های 7nm، 5nm و حتی 3nm طراحی شده و از معماری حلگر چندلایه هیبریدی (Hybrid Multi-Solver Architecture) بهره می‌برد. این حلگر قابلیت مدل‌سازی همزمان سطوح سیلیکونی، بین‌اتصالی و بستر بسته‌بندی (Package Substrate) را دارد و اثرات الکترومغناطیسی میان چیپ، پکیج و برد (CPB Interaction) را با دقت بالا شبیه‌سازی می‌کند. این ویژگی به‌ویژه در طراحی تراشه‌های پرسرعت مانند پردازنده‌های HPC، چیپ‌های مخابراتی 5G و شتاب‌دهنده‌های هوش مصنوعی اهمیت ویژه‌ای دارد.

قابلیت‌های نرم افزار Ansys RaptorX/Ansys RaptorH

• استخراج پارازیت دقیق مدار | Accurate Parasitic Extraction
  توانایی استخراج مدل‌های RLCk و S-پارامتر از ساختارهای پیچیده مدارهای مجتمع با دقت بسیار بالا برای تضمین صحت شبیه‌سازی‌های فرکانسی.

• تحلیل سیگنال و تداخل میدان | Signal Integrity and EM Coupling Analysis
  شناسایی دقیق اثرات تداخل بین مسیرهای سیگنال و خطوط تغذیه برای کاهش Crosstalk و EMI در طراحی‌های با فرکانس بالا.

• پشتیبانی از فناوری‌های نانومتری | Advanced Node Support
  بهینه‌سازی کامل برای فناوری‌های تولید 8nm، 5nm و 3nm با مدل‌سازی دقیق اثرات بین‌لایه‌ای در فرآیندهای سیلیکونی.

• یکپارچگی با ابزارهای طراحی تراشه | Foundry and EDA Integration
  قابلیت خواندن مستقیم Tech File کارخانه‌ها و سازگاری کامل با Cadence Virtuoso، Synopsys Custom Compiler و جریان‌های LVS.

• شبیه‌سازی چندچیپه | Chip-Package-Board Co-Simulation
  امکان تحلیل همزمان چیپ، بسته‌بندی و برد مدار چاپی برای درک تعاملات میدان الکترومغناطیسی در سطح سیستم‌های چنددامنه‌ای.

• تسریع شبیه‌سازی با پردازش موازی | Distributed and Parallel Processing
  استفاده از چندین هسته پردازشی و شبکه HPC برای کاهش زمان حل مدل‌های بزرگ در تحلیل‌های فرکانسی و زمانی.

• بهینه‌سازی ساختارهای RF | RF Component Optimization
  طراحی، تحلیل و بهینه‌سازی القاگرها، خازن‌ها و فیلترهای RF با دقت بالا و استخراج مدل‌های ماکرو برای کاربردهای GHz.

• اعتبارسنجی طراحی در سطح تولید | Foundry Certified EM Sign-off
  گواهی‌شده توسط Samsung و GlobalFoundries برای تأیید صحت مدل‌های EM در فرآیندهای تولید واقعی.

• تحلیل همزمان حرارتی و الکترومغناطیسی | Thermal-EM Co-Analysis
  شبیه‌سازی اثرات حرارتی بر عملکرد میدان الکترومغناطیسی و دقت مدل‌سازی در طراحی‌های توان بالا (High Power ICs).

کاربردهای تخصصی

• طراحی مدارهای مجتمع RF و آنالوگ برای کاربردهای 5G و WiFi 6
• استخراج مدل‌های S-پارامتر برای شبکه‌های تغذیه و سیگنال در طراحی SoC
• تحلیل EMI و Crosstalk در طراحی چیپ‌های پرسرعت HPC و AI Accelerator
• طراحی و شبیه‌سازی بسته‌بندی چندچیپه (Multi-Die Package)
• اعتبارسنجی مدل‌های الکترومغناطیسی پیش از تولید (Pre-Signoff Verification)

بیشتر بخوانید: Lattice Semiconductor 2025 طراحی FPGA

هر دو نرم افزار Ansys RaptorX و Ansys RaptorH از شتاب‌دهنده‌های سخت‌افزاری GPU و سیستم‌های HPC پشتیبانی می‌کنند و امکان تحلیل مدل‌های با میلیون‌ها المان را با کارایی بالا فراهم می‌سازند. پشتیبانی از تحلیل چندفیزیکی (Thermal-EM Co-Analysis)، یکپارچگی با محیط‌های طراحی دیجیتال و قابلیت تولید مدل‌های ماکرو برای شبیه‌سازی سطح سیستم (System-Level Modeling) باعث شده Ansys RaptorH و Ansys RaptorX در زنجیره طراحی تراشه‌های پیشرفته، جایگاه حیاتی و استراتژیکی داشته باشند.

برای مشاهده اطلاعات کامل نرم افزار Ansys RaptorX/Ansys RaptorH جهت شبیه‌سازی IC و SoC به اینجا مراجعه کنید.